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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
55
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
55
读取速度,GB/s
9.4
10.0
写入速度,GB/s
5.5
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2232
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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