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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
9.4
15.0
写入速度,GB/s
5.5
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2292
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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