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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Catalyst 01GN80KFUA8 1GB
比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Catalyst 01GN80KFUA8 1GB
总分
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
总分
Catalyst 01GN80KFUA8 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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需要考虑的原因
Catalyst 01GN80KFUA8 1GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
47
54
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,085.2
1,781.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Catalyst 01GN80KFUA8 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
54
47
读取速度,GB/s
4,269.3
4,546.3
写入速度,GB/s
1,781.8
2,085.2
内存带宽,mbps
5300
6400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
618
695
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Catalyst 01GN80KFUA8 1GB RAM的比较
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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