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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
总分
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
总分
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
54
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,781.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
50
读取速度,GB/s
4,269.3
10.2
写入速度,GB/s
1,781.8
7.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
618
2064
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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