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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
3,231.0
18.2
写入速度,GB/s
1,447.3
14.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3439
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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