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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
3,231.0
16.8
写入速度,GB/s
1,447.3
11.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2772
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
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G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
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