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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
18.3
写入速度,GB/s
1,447.3
14.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3377
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
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