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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
3,231.0
16.1
写入速度,GB/s
1,447.3
9.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2607
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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