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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
63
左右 -174% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
23
读取速度,GB/s
3,231.0
16.5
写入速度,GB/s
1,447.3
13.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3130
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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