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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
17.6
写入速度,GB/s
1,447.3
13.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3268
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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