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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
63
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
36
读取速度,GB/s
3,231.0
15.1
写入速度,GB/s
1,447.3
12.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2871
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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