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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
3,231.0
18.1
写入速度,GB/s
1,447.3
15.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3733
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
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Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
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