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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
3,231.0
17.0
写入速度,GB/s
1,447.3
12.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3282
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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