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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 -110% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
30
读取速度,GB/s
3,231.0
16.5
写入速度,GB/s
1,447.3
12.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3058
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
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