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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
3,231.0
16.6
写入速度,GB/s
1,447.3
13.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3277
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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