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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
63
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
25
读取速度,GB/s
3,231.0
15.6
写入速度,GB/s
1,447.3
13.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2702
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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