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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
63
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
36
读取速度,GB/s
3,231.0
14.9
写入速度,GB/s
1,447.3
9.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2473
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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