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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.0
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
3,231.0
11.7
写入速度,GB/s
1,447.3
6.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
1901
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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