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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
63
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
51
读取速度,GB/s
3,231.0
15.7
写入速度,GB/s
1,447.3
10.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2597
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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