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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
63
左右 -80% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
35
读取速度,GB/s
3,231.0
16.3
写入速度,GB/s
1,447.3
12.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2893
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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