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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
73
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
73
读取速度,GB/s
3,231.0
15.0
写入速度,GB/s
1,447.3
7.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
1838
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
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