RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
24.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
3,231.0
24.1
写入速度,GB/s
1,447.3
16.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
4001
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link