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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
17.5
写入速度,GB/s
1,447.3
13.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2929
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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