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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
63
左右 -117% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
29
读取速度,GB/s
3,231.0
18.5
写入速度,GB/s
1,447.3
14.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3434
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
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