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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
63
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
21
读取速度,GB/s
3,231.0
18.1
写入速度,GB/s
1,447.3
14.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3087
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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