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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12
测试中的平均数值
需要考虑的原因
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
63
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
48
读取速度,GB/s
3,231.0
12.0
写入速度,GB/s
1,447.3
7.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2324
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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