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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9905678-121.A00G 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
63
左右 -174% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
23
读取速度,GB/s
3,231.0
16.6
写入速度,GB/s
1,447.3
10.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2710
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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