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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston KHYXPX-MID 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Kingston KHYXPX-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHYXPX-MID 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
63
左右 -80% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
35
读取速度,GB/s
3,231.0
13.9
写入速度,GB/s
1,447.3
8.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2127
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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