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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
3,231.0
16.5
写入速度,GB/s
1,447.3
13.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2892
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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