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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
63
左右 -80% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
35
读取速度,GB/s
3,231.0
14.8
写入速度,GB/s
1,447.3
11.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2336
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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