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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 -110% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.9
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
30
读取速度,GB/s
3,231.0
11.8
写入速度,GB/s
1,447.3
5.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
1984
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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