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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
差异
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
63
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.9
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
39
读取速度,GB/s
3,231.0
8.9
写入速度,GB/s
1,447.3
6.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2011
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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