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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
63
左右 -34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
47
读取速度,GB/s
3,231.0
11.6
写入速度,GB/s
1,447.3
8.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2537
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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