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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
63
左右 -80% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
35
读取速度,GB/s
3,231.0
15.8
写入速度,GB/s
1,447.3
12.4
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2852
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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