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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 -110% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
30
读取速度,GB/s
3,231.0
17.4
写入速度,GB/s
1,447.3
13.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3308
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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