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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
3,231.0
17.9
写入速度,GB/s
1,447.3
14.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3444
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Frequency (Mhz) *
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Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
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