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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
11.7
16.7
写入速度,GB/s
7.2
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
3090
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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