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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
25
读取速度,GB/s
11.7
15.1
写入速度,GB/s
7.2
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
2310
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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