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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
33
读取速度,GB/s
11.7
20.0
写入速度,GB/s
7.2
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
3462
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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