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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
差异
规格
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
29
读取速度,GB/s
11.7
20.5
写入速度,GB/s
7.2
15.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
3587
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
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