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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
11.7
18.2
写入速度,GB/s
7.2
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
3389
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
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