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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
32
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
32
读取速度,GB/s
11.7
15.0
写入速度,GB/s
7.2
10.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
2895
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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