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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
26
读取速度,GB/s
11.7
19.5
写入速度,GB/s
7.2
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
3635
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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