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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
26
读取速度,GB/s
11.7
16.2
写入速度,GB/s
7.2
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
2728
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Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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