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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
38
读取速度,GB/s
11.7
14.0
写入速度,GB/s
7.2
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
2055
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
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Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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