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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
26
读取速度,GB/s
11.7
13.2
写入速度,GB/s
7.2
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
3068
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
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