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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
67
左右 54% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
67
读取速度,GB/s
11.7
16.7
写入速度,GB/s
7.2
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
1879
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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