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Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
比较
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB vs Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
总分
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 33% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
40
读取速度,GB/s
12.1
14.3
写入速度,GB/s
7.5
8.7
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2097
2430
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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