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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
68
左右 -162% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
26
读取速度,GB/s
3,973.0
19.7
写入速度,GB/s
1,944.9
14.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3484
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
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