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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
68
左右 -172% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
25
读取速度,GB/s
3,973.0
18.5
写入速度,GB/s
1,944.9
14.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3593
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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